AMD引入三星4nm制程设计新I/O芯片 因台积电产能不足

AMD正在考虑使用三星电子的4纳米工艺为下一代服务器生产中央处理器I/O芯片。

AMD目前正在研发新一代Zen 6架构处理器产品，并开发新系列服务器和客户端I/O芯片（cIOD 和 sIOD）。I/O芯片对于AMD芯片来说是至关重要，它包含处理器的所有非核心组件，包括内存控制器、PCIe root complex以及与CCD和多插槽连接的Infinity Fabric互连。此前的消息表明，AMD计划采用4nm制程设计这一代I/O 芯片，此前的传闻多为AMD将使用台积电N4P工艺，这也是AMD目前主流处理器芯片所采用的制程。但根据最新的爆料来看，AMD似乎正在考虑其他代工方案。

据韩媒the bell消息，AMD正在考虑使用三星电子的4纳米工艺为下一代服务器生产中央处理器I/O芯片。为此已经制造出了原型产品。AMD已利用三星的代工厂生产了多种产品，目前正在生产AMD子公司XILINX的芯片产品。AMD决定使用三星电子的代工厂，很可能是受到台积电缺乏4纳米工艺产能的影响。据信，台积电的4nm工艺主要用于为英伟达和AMD生产人工智能加速器。

AMD采用的很可能是三星4LPP制程，也被称为SF4，自2022年以来一直处于量产状态。下表显示了SF4与，其中显示SF4对比台积电N4P和Intel4制程时表现介于两者之间。SF4的晶体管密度与N5相当，与AMD当前一代sIOD和cIOD所使用的台积电N6相比，晶体管密度有了显著提高。新的4纳米节点将允许AMD降低I/O芯片的TDP，实施新的电源管理解决方案，更重要的是，全新的I/O芯片，将会带来新的内存控制器，以支持更高的DDR5速度，并兼容新型DIMM，如CUDIMM、带RCD的RDIMM等。